本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅，然后利用准分子激光退火制得多晶硅。

本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅，然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
本征多晶硅是N型还是P型?
如晶格缺陷、界面等.
制备方法是PECVD反应形成非晶硅，然后利用准分子激光退火制得多晶硅。

本征多晶硅是N型还是P型?如晶格缺陷、界面等.制备方法是PECVD反应形成非晶硅，然后利用准分子激光退火制得多晶硅。
本征多晶硅通常指不添加第ЩA族元素和第VA族元素的多晶硅,理想状态下本征多晶硅既不是N型也不是P型,只是晶面取向不同的晶粒,掺入微量的ⅢA族元素,如硼而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅤA族元素,如磷形成n型硅半导体.