为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层?

为什么PN结又叫做阻挡层和耗尽层? PN结耗尽层中的杂质离子为什么不能移动? PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄 PN结空间电菏区是耗尽层,怎么还有扩散电流和返回电流平衡的说法 1.当PN结外加正向电压时,耗尽层的宽度将变（） PN结耗尽层宽度跟参杂浓度的关系不明白为什么高参杂的时候耗尽层宽度很窄?齐纳击穿说不大的反向电压就可以在耗尽层形成很强的电厂,而直接破坏共价键,这句话不太明白,可不可以这样理 PN结在高掺杂的情况下,耗尽层宽度为什么变窄请给出详细的,概念比较清楚的答案 关于半导体掺杂浓度与PN结耗尽层宽度问题扩散是由于浓度差引起的,应该是浓度越大,扩散能量越强,那么耗尽层也应该越宽啊.实际却是掺杂浓度越大,耗尽层越窄.为什么呢?既然掺杂浓度越大, PN结为什么在加反向电压时,耗尽层会变大 PN结势垒电容随外加电压变化的问题,PN结正偏压增大时,耗尽层变窄,耗尽层电荷量减少,也就是存储的电荷量减少,势垒电容应该减小才对啊?为什么书上说正偏压增大,势垒电容增大?难道势垒电 为什么高掺杂的半导体耗尽层窄 PN结的方向饱和电流的大小 和 雪崩电压的大小由上面特性决定的?这个问题主要问的是 反向电流 雪崩电压 由PN结那些特性决定?比如扩散浓度 梯度 耗尽层特性 杂质等方面.对于光线和温度,我 PN结 的内建电场关于PN结正向特性的描述里:由于外加正向电压与内建电场的极性相反,因而阻挡层两端的电位差VB减小到VB-V,结果阻挡层减小.这里假设VB=0.6V,下面有两个疑问,如确实能解疑惑,追 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使价电子脱离共价键束缚,产生电子—空穴对, Matlab的小问题 神经网络最少几层?神经网络是不是至少3层?输入层、隐含层、输出层?但为什么又有2层之说?另,net=newff(minmax(pn),[n,2],{'tansig','purelin'},'traingdm')中[n,2]的n指的是什么,是输入层的神 半导体物理学：耗尽层近似的局限性 耗尽层就是空间电荷区吗/ 模电二极管PN结问题PN结掺杂程度越高,其耗尽层越窄,为什么?