三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思

来源：学生作业帮助网 编辑：作业帮 时间：2024/05/11 12:17:56
三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思

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三极管截止区的问题. 书上说U be 小于死区电压时,I b=0,什么意思
死区电压也叫开启电压,是应用在不同场合的两个名称.在二极管正负极间加电压,当电压大于一定的范围时二极管开始导通,这个电压叫开启电压.锗管0.3左右,硅管0.7左右.死区电压是指在二极管应用在具体的电路中时,由于本身的压降,也就是供电电压小于一定的范围时不导通,造成输出波形有残缺,从供电电压经过零点直到输出波形残缺消失的时候,这一段电压就是死区电压,本质上就是二极管的开启电压.当二极管加上正向电压时,便有正向电流通过.但正向电压很低时,外电场还不能克服PN结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力,此时正向电流很小,二极管呈现很大的电阻.当正向电压超过一定数值（硅管约0.5V,锗管约0.1V）后,二极管电阻变得很小,电流增长很快.这个电压往往称死区电压.理想二极管：死区电压=0 ,正向压降=0实际二极管：死区电压为0.5V,正向压降为0.0.7V(硅二极管)锗管死区电压约0.1V,正向压降为0.0.3V 所谓死区电压:由于PN结内部有自建电场,电子和空穴的漂移作用,其内部本身就具有一定的电能,也就是说它的内部本身带有电荷,我们利用它的单向导电性,其实就是给PN结加上外部电压,破坏了它内部自建电场的平衡,当然!这需要达到一定的电压值,至少要高于PN结内部的自建电场.也由于二极管内部的材料是半导体,它对电压有一定的阻力.电压过低,则无法破坏PN结内部的自建场,所以不同材料的管子,也就有不同的死区电压.
硅的PN结电压是0.7V,而锗是0.3V.

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